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一种半导体结构的制造方法.pdfVIP

一种半导体结构的制造方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一光刻胶层、阻光层和第二光刻胶层；曝光所述第一光刻胶层，并显影所述第一光刻胶层和所述阻光层形成第一开口；曝光所述第一开口下方的所述第二光刻胶层，并显影所述第二光刻胶层形成位于所述第一开口下方的第二开口；填充所述第二开口和所述第一开口形成半导体结构。本发明提供的方法，用以解决现有的形成T型或其他重叠形状的半导体结构的工艺存在的适用性差的技术问题。提供了一种高适用性的半导体结构的制造方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112713084 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 202011599547.X (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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