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本发明的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化物。在第1退火工序中，对层叠于基材上的第1电极膜、电容绝缘物和金属氧化物进行退火。在第4层叠工序中，在进行了退火的金属氧化物上层叠第2电极膜。此外，电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，金属氧化物是含有钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112714945 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 201980061504.5 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限
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