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用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法.pdfVIP

用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法.pdf

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    本发明属于存储器控制领域，涉及用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法，通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令和跨步预取加速处理器从Flash读取数据，其中所述通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令包括：对处理器发起的取指请求，根据缓存命中和缺失判断，进行缓存行填充并重构缓存行长，向Flash发起读取指令请求；所述通过跨步预取加速处理器从Flash读取数据包括：对处理器发起的取数请求，根据缓冲寄存器命中和缺失的判断和跨步预取使能位的有效情况，向Flash发起读取数据请求。本发明

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112711383 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202011643848.8 (51)Int.Cl.

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