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本发明公开了一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法,包括季铵化合物、有机醇胺、极性有机溶剂以及去离子水;以重量百分比计,包括季铵化合物0.5‑20%、有机醇胺1‑40%、极性有机溶剂20‑95%、去离子水1‑50%。本发明稳定性好、去胶效果好,不会对砷化镓等基底产生腐蚀。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112711176 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202011496711.4
(22)申请日 2020.12.17
(71)申请人 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司
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