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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有待刻蚀层;在待刻蚀层上形成核心层、以及位于核心层中的多个牺牲层,多个牺牲层之间间隔排布;去除相邻的牺牲层之间的部分核心层,形成贯穿核心层的第一凹槽,第一凹槽的侧壁暴露出牺牲层;对第一凹槽侧壁的核心层进行第一离子掺杂处理,适于增大第一凹槽侧壁的核心层的耐刻蚀度;在第一凹槽的侧壁形成侧墙;在进行第一离子掺杂处理和形成侧墙后,去除牺牲层,形成贯穿核心层的第二凹槽,第二凹槽和第一凹槽之间被侧墙隔离;以核心层和侧墙为掩膜,刻蚀第一凹槽和第二凹
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713087 A
(43)申请公布日
2021.04.27
(21)申请号 20191
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