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写操作电路、半导体存储器和写操作方法.pdfVIP

写操作电路、半导体存储器和写操作方法.pdf

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    本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：数据判断模块，用于根据半导体存储器的前次输入数据和当前输入数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前输入数据，以生成翻转标识数据和中间数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号和中间数据确定全局总线的初始态；数据接收模块，数据接收模块接收全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收翻转标识数据，用于根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据。本申请实施例的技术方案可以实现在TriStat

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112712836 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 20191

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