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2023-06-05 发布于四川
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本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有反应容器。气相生长装置具有配置在反应容器内的晶片保持器。气相生长装置具有将第一原料气体供给到反应容器内的第一原料气体供给管。气相生长装置具有将与第一原料气体反应的第二原料气体供给到反应容器内的第二原料气体供给管。气相生长装置具有在供给路径上配置有固体部的特定气体供给管。气相生长装置具有将固体部加热到规定温度以上的第一加热部。固体部具有母体区域和连续地配置在母体区域内的第一区域。母体区域是在规定温度不分解的区域。第一区域是在规定温

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112714804 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 201980059786.5 (74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事

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