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2023-06-05 发布于四川
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一种类金刚石保护薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种类金刚石保护薄膜及其制备方法，所述类金刚石保护薄膜由下而上依次包括微纳电子器件基材、绝缘层带、内应力缓冲层和耐磨层带；所述绝缘层带最下层为含硅薄层，然后依次交替分布有无掺杂DLC层及含硅薄层，所述内应力缓冲层由下而上依次包括H‑W:DLC层、M‑W:DLC层、L‑W:DLC层，所述内应力缓冲层最上层依次交替分布有金属层Ⅱ及S‑W:DLC层，所述类金刚石保护薄膜的最上层为S‑W:DLC层。上述镀层可以采用包括PLD在内的物理气相沉积方法依次镀制得到，在制备过程中通过采用不同浓度的钨

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112707367 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 202011610360.5 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人中国人民解放军陆军工程大学

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