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本发明提供了一种新型高速DDR发送电路,包括两个PMOS管PM1、PM2和两个NMOS管NM1、NM2;PM1的源极接高电压VDDQ,漏极与PM2的源极相连,PM2的漏极与一电阻相连,电阻的另一端与输出垫片相连;PM1的栅极和控制线netp相连,netp通过反向器INV1与数据输入DIN相连,INV1与netp之间设有电容C;INV1的工作电压为低电压VDD,电容C和netp为PM1的栅极提供一个电压VDDL,以对PM1进行保护;NM1的源极接地,漏极与NM2的源极相连,NM2的漏极与电阻相连;
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713892 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202110091713.3
(22)申请日 2021.01.23
(71)申请人 灿芯半导体(上海)有限公司
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