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本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供定义有交界区的半导体衬底，在交界区形成预制凹槽并填充形成底部补偿结构，形成叠层结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的虚拟沟道孔结构，并填充形成应力缓冲结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的栅线分割槽，其中，栅线分割槽与应力缓冲结构间的交界面位于底部补偿结构对应的区域。本发明在栅线分割槽(GLC)与虚拟沟道孔结构(DCH)交界的地方预先制作底部补偿结构，可以基于底部补偿结构有效避免栅线分割槽尖角的问题，另外，基于底部补偿结构还可以进一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713154 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202110171089.8
(22)申请日 2021.02.08
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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