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本发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片，方法包括：在衬底上淀积第一介电层；刻蚀第一介电层形成第一开口结构；淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀第一金属层形成焊盘结构；在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层；刻蚀第三介电层形成第二开口结构；刻蚀第一介电层和第二介电层，形成第三开口结构；淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造。本发明可以使芯片焊盘结构位置低于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112731718 B
(45)授权公告日 2022.08.05
(21)申请号 202011189724.7 G02F 1/1343 (2006.01)
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