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本发明提供了一种半导体虚设元器件的高度控制方法,包括以下步骤:(1)在半导体虚设元器件的正面切割2~5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2~5条互相平行的槽,正面和背面的槽数量差值为1,正面的槽和背面的槽互相平行,半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合;(2)在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层,所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃;(3)在60~120℃下进行退火处理。本发明方法通过对槽的数量和切割位置的限定,极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112735951 A
(43)申请公布日
2021.04.30
(21)申请号 20191
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