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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

半导体结构及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法通过离子注入精确控制沟槽中金属的钝化区域，进而降低沟槽中金属的形成速率，通过控制金属在钝化层的形成速率比种子层的慢，进而能够促进沟槽内金属充分沉积，在对高深宽比的沟槽进行填充时，可以避免产生缝隙、孔洞等缺陷。同时，离子注入可直接定义反应区域，可以精确控制金属钝化层的形成区域，增强工艺制程的控制能力；并且，金属钝化层可以作为阻挡层，无需增加去除步骤，简化制备工艺。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736030 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 20191

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