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一次可编程存储单元及其制作方法和一次可编程存储器.pdfVIP

一次可编程存储单元及其制作方法和一次可编程存储器.pdf

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    本发明公开了一种一次可编程存储单元及其制作方法和一次可编程存储器，涉及半导体器件领域。该一次可编程存储单元，所述存储单元包括串联的控制MOS管和存储MOS管，所述存储MOS管的栅极处于浮置状态，且所述存储MOS管的栅极中包括P型栅和N型栅，所述P型栅和N型栅的接触区形成PN结二极管，以减少所述栅极内的空穴或电子的扩散。本发明技术方案的存储MOS管的栅极中同时包括P型栅和N型栅，P型栅和N型栅的接触区形成了稳定的PN结二极管；在对存储单元进行编程以后，存储在栅极上的电荷因为PN结二极管的存在，改变

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786588 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

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