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该发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有掺杂区和多个间隔排列的埋入式金属连线；所述埋入式金属连线穿过所述掺杂区；在所述掺杂区表面形成阻挡层；对所述阻挡层进行刻蚀处理，将位于所述金属连线上表面的所述阻挡层刻蚀成沟槽形状；在所述沟槽的侧壁表面形成侧壁介质层；在所述沟槽内填充内填充金属层。本发明通过在金属互连结构的侧壁形成介质层，可以降低填充多孔低介电材料时对金属互连结构周围的损伤，从而可以增加金属互连结构可靠性、稳定性，以及增强金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786525 A
(43)申请公布日
2021.05.11
(21)申请号 20191
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