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本发明提供了一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，包括SiC衬底，设有一衬底凹槽；SiC外延层，设有一外延凹槽；所述SiC外延层设于所述衬底凹槽内；P型阱区，设有介质槽，所述介质槽内设有沟道区；所述所述P型阱区设于所述外延凹槽内；栅极，所述栅极包括两个第一侧栅以及一顶栅，所述顶栅两端部分别连接至所述栅极的一端部的侧面，形成倒U型结构，所述顶栅和第一侧栅除顶部以及连接处外均被高k介质包围，所述倒U型结构设于所述介质槽内，且突出于所述介质槽；漏极以及源极，所述源极以及源极设于所述介质槽内，且设于所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768528 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110038677.4 H01L 29/16 (2006.01)
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