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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有掩膜材料层，掩膜材料层内形成有多个间隔设置的第一沟槽，第一沟槽的延伸方向为第一方向，多个第一沟槽沿第二方向平行排列，第二方向垂直于第一方向；形成第一侧墙层和阻挡层，第一侧墙层位于第一沟槽侧壁，阻挡层位于至少一个第一沟槽中，阻挡层在第一方向上分割第一沟槽，第一侧墙层暴露出阻挡层在第一方向两侧的侧壁；在第一侧墙层露出的阻挡层侧壁形成第二侧墙层；以第一侧墙层、第二侧墙层和阻挡层为掩膜，刻蚀相邻第一沟槽之间的掩膜材料层，形成第二沟槽，第二沟

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768344 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 20191

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