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一种隧道磁电阻及其制造方法.pdfVIP

一种隧道磁电阻及其制造方法.pdf

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    本发明提供一种隧道磁电阻及其制造方法，隧道磁电阻包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层；位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层。第二钉扎层可以为自由层提供较弱的交换偏置场，在外界环境温度或者外磁场移除之后，交换偏置场可以钉扎自由层在初始状态下的方向上，从而避免了隧道磁电阻涡旋磁化初始状态不稳定、容易受到外界环境的变化从而导致磁化曲线的漂移的问题，具有稳定自由层及增加自由层温度稳定性的作用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768603 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011596848.7 H01L 43/02 (2006.01) (22)申请日 2

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