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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；势垒层，位于缓冲层上；沟道层，位于势垒层上；源极、栅极、漏极，均位于沟道层上；第一钝化层，位于沟道层上；第二钝化层，位于所述沟道层上。本发明的高电子迁移率晶体管具有N面异质结，由于采用了具有N面的势垒层和具有N面的沟道层，势垒层在2DEG下方，因此可以形成天然的背势垒，将2DEG限制在界面处，同时由于源极与漏极直接与禁带宽度较小的沟道层接触，能够形成电阻较低且质量较高的欧姆接触。此外，本发明的高电子迁移率晶体管的2DEG更靠
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750895 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202110064654.0 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日
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