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本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型GaN层；其中，循环以下步骤直至生长出厚度为50～100nm的所述P型GaN层：向反应腔内持续通入氨气，在第一时间段内向反应腔内通入Ga源，在第二时间段内停止向反应腔内通入Mo源，在第三时间段内向反应腔内通入Mg源，在第四时间段内停止向反应腔内通入Mo源；所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段为连续的四个时间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768570 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011618808.8
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司
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