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2023-06-06 发布于四川
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本发明提供一种PIN二极管，为垂直结构，包括由下到上依次堆叠的衬底、N型掺杂半导体、N区欧姆接触区、本征半导体、P型掺杂半导体和P区欧姆接触区；N区互联金属连接到N区欧姆接触区，并作为二极管的负电极与外接电路互联；P区互联金属连接到P区欧姆接触区，并作为二极管的正电极与外接电路互联；所述P区欧姆接触区、P型掺杂半导体、本征半导体和N型掺杂半导体中的至少一个结构为圆角矩形。该二极管在高频条件下阻抗更低，具有更好的导通性，改变了传统PIN二极管在高频电路中发热区分布不均匀的问题，进一步提高了高频电路

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750914 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011605046.8 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人武汉大学地址 43

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