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高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板.pdfVIP

高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板.pdf

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    本发明的玻璃基板(2)，以氧化物基准的摩尔百分率计，在0.001～5％的范围内含有碱金属氧化物，并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01～0.99的范围，且在合计含量1～40％的范围内含有Al2O3和B2O3，并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0～0.45的范围，以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112759255 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011633954.8 (51)Int.Cl.

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