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半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的衬底上形成有若干鳍部；在第一区域和第二区域的衬底上形成第一隔离结构；形成横跨第一区域的鳍部和第一隔离结构的栅极结构和伪栅结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成外延层；刻蚀第二区域的部分第一隔离结构和衬底，形成第一开口；在第一开口内填充满导电材料层；刻蚀去除伪栅结构，同时刻蚀去除第一开口内部分厚度的导电材料层，形成电源轨；刻蚀第一区域的鳍部和第一隔离结构，形成第二开口，第二开口沿垂直于鳍部延伸方向贯穿鳍部；在第二开口内形成第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786535 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

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