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一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片.pdf

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    本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；进一步地，沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；可在有源区的边缘储存一定的空穴，从而有利于后续空穴往有源区的迁移，从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768579 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110177793.4 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人 厦门乾照光电股份有限公司

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