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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域的所述衬底上形成有若干鳍部；在所述第一区域和所述第二区域的所述衬底上形成隔离结构；形成横跨所述第一区域的所述鳍部及所述隔离结构的栅极结构；刻蚀所述第二区域的所述隔离结构和所述衬底，形成第一开口；在所述第一开口内填充满导电材料层；刻蚀所述栅极结构至露出所述隔离结构，在所述栅极结构中形成第二开口，同时刻蚀去除所第一开口内部分厚度的所述导电材料层，形成电源轨。本发明实施例提供的形成方法，可以同时形成电源轨和栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786701 A
(43)申请公布日
2021.05.11
(21)申请号 20191
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