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一种量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

一种量子点发光二极管及其制备方法.pdf

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    本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的发光层；其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所述间隙材料的折射率大于1.2。本发明通过将量子点分散于间隙材料中，使得间隙材料填充了量子点之间的间隙，由于该间隙材料具有高的透光率和折射率，从而增强了量子点中光子的取出，进而提高了量子点发光二极管的发光效率；同时，减弱了量子点对光子的吸收，降低量子点本征发光引起的光老化，提高了器件寿命。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750955 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011628823.0 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司

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