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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始侧墙；对所述初始侧墙进行至少一次改性刻蚀处理，以在待刻蚀层上形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：对所述初始侧墙进行改性处理，在所述初始侧墙的顶部表面和侧壁表面形成过渡层；采用原子层刻蚀工艺去除所述过渡层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786436 A
(43)申请公布日
2021.05.11
(21)申请号 20191
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