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一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备.pdf

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    本发明公开了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，包括：预热腔、工艺腔和冷却腔，并依次相连通，硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜，并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却；所述工艺腔的一个侧面设置有进气口，相对的侧面设置有尾气管路，且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板，所述电极板在竖直方向上平行设置，并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板，相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势；所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔；本发明为单腔多层非晶硅沉积设备，电极板在竖直方

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112760621 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011450582.5 C23C 16/458 (2006.01)

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