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2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，衬底包括外围区和核心区；在核心区上形成台阶结构，并在外围区和台阶区上形成掩盖层；刻蚀掩盖层形成第一接触孔凹槽；形成覆盖掩盖层的上表面及第一接触孔凹槽的侧壁和底部的保护层；刻蚀掩盖层和保护层形成第二接触孔凹槽；去除掩盖层上的保护层及第一接触孔凹槽底部的保护层，并对当前的第一接触孔凹槽进行清洗；在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属形成第一接触孔和第二接触孔。本发明中的方法，有效的防止了第一接触孔的侧壁在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768456 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110096658.7 H01L 27/11578 (2017.01) (22)申请日

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