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    本发明的目的是提供一种可简便地设置与目标薄膜厚度对应的被处理基板的公转角速度和自转角速度的最佳值的成膜方法。本发明的成膜方法，其中在真空室(1)内，在同一平面内使被处理基板(Sw)绕公转轴(22)公转，并使被处理基板以被处理基板中心(Sc)为旋转中心自转，从成膜源(31、32)供给成膜材料在被处理基板表面形成规定的薄膜，所述成膜源配置在与自公转的被处理基板相对的真空室内的规定位置上,所述成膜方法包括设置工序，其中将形成的薄膜的目标薄膜厚度设为T，以一个公转周期中在基板上形成薄膜的薄膜厚度设为D，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112771200 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 201980062919.4 (74)专利代理机构 北京英特普罗知识产权代理

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