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半导体真空设备.pdfVIP

半导体真空设备.pdf

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    本发明提供一种半导体真空设备，包括：第一腔室，所述第一腔室的一侧具有第一开口，另一侧具有与所述第一开口相对设置的第二开口，所述第一腔室内设有晶圆支撑单元，底部设有第一通孔和第二通孔。所述第一腔室的顶部设有开口、环绕所述开口的环形凹槽、填充所述环形凹槽的密封圈以及覆盖所述开口的顶盖。本发明提供的半导体真空设备，通过在所述第一腔室的顶部设置带有排气孔的环形凹槽，保障了第一腔室从大气状态抽取至真空态的速度，提高了设备利用率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768381 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110067124.1 (22)申请日 2021.01.19 (71)申请人 上海广川科技有限公司

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