氮化物半导体膜的形成方法.pdfVIP

氮化物半导体膜的形成方法.pdf

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氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112771647 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 201980065213.3 (74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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