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本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法，属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板；将下电极掩模板与器件基底贴合；采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极；将P型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂；将N型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂；通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层；将上电极掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极，得到高集成度热电薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112768596 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110160798.6 H10N 10/17 (2023.01)
(22)申请日 2021.02
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