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2023-06-06 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：具有多个电路区块的衬底，且衬底具有相对的第一表面以及第二表面，至少一贯穿衬底而电隔离多个电路区块的隔离结构，设置于衬底第一表面上的绝缘层，以及设置于绝缘层上的多个测试部件，且多个测试部件各位于一个对应的电路区块的纵向投影上方，其中，多个测试部件中的其中之二用以被施加测试电压而使对应的两个电路区块中的衬底电压具有一差值，本发明提供的半导体结构，通过在位于每个电路区块纵向投影上方的绝缘层上设置测试部件，并对其中之二施加测试电压，而使对应的两个电路区块中的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768366 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110087124.8 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人长江存储科技有限责任公司

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