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横向双扩散金属氧化物半导体器件.pdfVIP

横向双扩散金属氧化物半导体器件.pdf

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    本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768521 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 201911001601.3 (51)Int.Cl.

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