具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程.pdf

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一种三维(3D)存储器器件，可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一组存储器层与第二组存储器层之间的第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括NAND存储器串，其均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括外围电路，其被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个存储器层进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个存储器层进行编程。外围电路可以包括字线(WL)驱动电路，其被配置为：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112771616 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202180000115.9 G11C 16/34 (2006.01)

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