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2023-06-06 发布于四川
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发光二极管的外延片及其制备方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层包括依次层叠的第一周期结构、第二周期结构和第三周期结构，三个周期结构均包括交替层叠的AlN层和Al0.6Ga0.4N层；三个周期结构中的AlN层的厚度呈递减的形式设置，Al0.6Ga0.4N层的厚度呈递增的形式设置，使外延片中的晶体从AlN逐渐过渡为AlGaN，从而从高温AlN缓冲层逐渐过渡到n型AlGaN层，有利于减小

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768575 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011609269.1 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人华灿

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