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本发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含：阳极(16)；阴极(12)；设置于该阳极和阴极间的有源层(14)；以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13)，电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料，电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外，该光电转换元件中，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2)：|LUMO|－Wf1≥0.06eV(2)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112771685 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 201980064003.2 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限
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