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公开了三维(3D)存储器件及其制作方法的实施例。所述方法包括：在衬底上形成交替电介质堆叠层；在交替电介质堆叠层的上部部分中形成顶部选择栅切口和两个结构强化插塞，其中，每一结构强化插塞具有窄支撑主体和两个扩大的连接部分；在交替电介质堆叠层中形成多个沟道结构；在交替电介质堆叠层中形成多条栅缝隙，其中，每一栅缝隙暴露对应的结构强化插塞的一个扩大的连接部分的侧壁；将交替电介质堆叠层转换为交替导电/电介质堆叠层；以及在包括连接至对应结构强化插塞的一个扩大的连接部分的扩大的末端部分的每一栅缝隙中形成栅缝隙结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768459 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110163053.5 H01L 27/11582 (2017.01)
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