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2023-06-06 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一半导体单元、一第二半导体单元以及一第三半导体单元，该第一半导体单元剧有一第一临界电压并包括在该基底中的一第一隔离堆叠，该第二半导体单元具有一第二临界电压并包括在该基底中的一第二隔离堆叠，该第三半导体单元具有一第三临界电压并包括在该基底中的一第三隔离堆叠。该第一临界电压、该第二临界电压以及该第三临界电压均相互不同。该第一隔离堆叠的一厚度不同于该第二隔离堆叠的一厚度与该第三隔离堆叠的一厚度。该第二隔离堆叠的该厚度不同于该

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768448 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202010939845.2 (22)申请日 2020.09.09 (30)优先权数据 16/658,94

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