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一种半导体器件，其包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极、通孔、多个第一p型掺杂氮化物半导体岛以及第二p型掺杂氮化物半导体岛。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上。源极、漏极和栅极设置于第二氮化物半导体层上。通孔自漏极向上延伸。第一p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上，并位于栅极和漏极之间，第一p型掺杂氮化物半导体岛各自具有侧表面，其远离栅极，并至与漏极形成界面。漏极自第二氮化物半导体层向上延伸至高过第一p型掺杂氮化物半导体岛，且高过第一p型掺杂氮化物半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768519 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011637579.4
(22)申请日 2020.04.30
(62)分案原申请数
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