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2023-06-06 发布于四川
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分栅快闪存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有浮栅层和掩模层。在掩模层上形成一沟槽，沟槽贯穿掩模层和浮栅层。形成字线，字线填充所述沟槽。去除掩模层。在浮栅层上形成控制栅侧墙，控制栅侧墙覆盖字线的侧壁；且控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。因此，本发明中的所述控制栅侧墙覆盖所述字线的侧壁，且所述控制栅侧墙上没有覆盖膜层，可直接将所述控制栅侧墙的引出。此外，本发明先形成字线，然后在字线的侧壁形成控制栅侧墙，且所述控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750789 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202110090045.2 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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