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2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及一种背向集成激光器件，包括基底、所述基底二氧化硅层内设的波导结构、有源激光器件，有源激光器件通过半导体材料层与基底二氧化硅层键合，有源激光器件上部设有第一金属电极，基底二氧化硅层内设有第二金属电极结构，第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触；第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层，第二金属电极结构包括互联金属层和电极金属层，电极金属层有至少两部分拼接而成。本发明还涉及一种背向集成激光器的制造方法，包括，对SOI晶圆制造工艺和外延片制造工艺。本发明的一种背向集成激光器的制

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112769033 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011640236.3 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人联合微电子中心有限责任公司

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