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本发明提供一种制备二维过渡金属硫族化合物面内异质结的方法，该方法具有前驱体可在反应过程中移动以实现面内异质结连续生长的特点，实施方法为：将阳离子氧化物前驱体与NaCl固体粉末混合，形成阳离子固体粉末，同阴离子前驱体粉末，一并放入单温区管式炉中，控制单温区管式炉在不同固体粉末混合物所对应的蒸发温度停留一定的生长时间，同时配合前驱体相应的进入或离开衬底附近的生长区域，最后得到二维过渡金属硫族化合物面内异质结，本发明制备出的面内异质结相较于传统一步法和两步法成膜面积和质量均有提高，结区位置污染率降低，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112760715 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011398074.7
(22)申请日 2020.12.04
(71)申请人 北京交通大学
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