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本发明涉及一种新型存储器测试结构，该测试结构插放于晶圆划片槽区域内，包括：测试结构存储位元阵列，所述测试结构存储位元阵列与正常芯片区域的存储位元阵列的部分或全部结构一致且具有相同的工艺流程；寻址编译器，排布于所述测试结构存储位元阵列周围，包括字线寻址编译器和节线寻址编译器，其中字线寻址编译器连接存储位元阵列中的字线，每一列的存储位元共用一条字线；节线寻址编译器连接存储位元阵列的节线，每一行的存储位元共用同一条节线。该测试结构可以有效地监控存储芯片区域中器件的工艺特征以及各项性能，从而帮助提高芯片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112767989 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110013169.0
(22)申请日 2021.01.06
(71)申请人 波平方科技（杭州）有限公司
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