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一种低应力晶体的生长方法.pdfVIP

一种低应力晶体的生长方法.pdf

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    一种低应力晶体的生长方法，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的方法，借助拥有可移动式晶体加热罩的提拉法晶体生长装置实现，晶体生长装置实现包括炉体，炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还有可移动式晶体加热罩，包括加热罩体、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。晶体生长过程中，以及晶体提拉出熔体后，用可移动式晶体加热罩进行覆盖。采用本方法，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内部的温度梯度，从而降低晶体应力，降低缺陷，避免晶体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112746312 B (45)授权公告日 2021.12.07 (21)申请号 202110145424.7 (51)Int.Cl.

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