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本发明涉及一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法及半导体器件，包括以下步骤：在碳化硅的表面注入N型离子，从而形成简并碳化硅；使用高温退火对注入的N型离子进行激活，从而修复注入N型离子时对晶胞造成的损伤；在注入的N型离子表面积淀双层金属，从而形成欧姆接触。本方案在碳化硅表面形成简并碳化硅，以在常温下实现无需高温或激光退火，金属(Ti/Ni)直接形成N型欧姆接触的目的。由于避免了常用的碳化硅欧姆接触高温退火，解决了在欧姆接触表面形成空洞的问题，因此半导体器件的肖特基接触、MOS介面等器件关键部位的电特性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768510 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110088892.5
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 成都杰启科电科技有限公司
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