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半导体结构、制备方法及半导体封装结构.pdfVIP

半导体结构、制备方法及半导体封装结构.pdf

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    本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底、焊盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二保护层；重布线层包括第一金属线、第二金属线；第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当于形成于同一层，因此第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共面性较高，第二金属线与焊盘绝缘，因此形成于第二金属线上的凸块并不起导电作用，在衬底翘曲产生应力时将应力转移到第一保护层，本申请的衬底中凸块共面性较好，减小倒装到基板上时出现浸润不良的概率，提高整个封装的可

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786467 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

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