一种半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法.pdf

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该发明涉及一种半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成掺杂区；所述掺杂区的氮的掺杂浓度是由下到上逐渐减小；在所述掺杂区表面沉积阻挡层；所述阻挡层包括：铝掺杂的氧化硅；在所述阻挡层表面覆盖光刻胶层进行光刻曝光显影工艺。本发明通过在半导体衬底的掺杂区表面沉积阻挡层，所述阻挡层中包含铝离子中和掉掺杂区中游离的氮离子，避免了在光刻曝光显影工艺中，当氮氧化硅作为衬底时，分界抗蚀剂的酸与氮发生反应，使抗蚀剂溶解性降低，引起光抗蚀剂中毒，产生基脚，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768342 B (45)授权公告日 2022.03.22 (21)申请号 201911062327.0 (56)对比文件 (22)申请日 2019.11.02