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本发明提供一种存储器的制备方法,涉及半导体集成电路制造技术,用于解决存储器的性能差的问题。该存储器的制备方法包括如下步骤:提供基底;在基底上形成第一隔离层;在第一隔离层上形成第一掩膜层;在第一掩膜层上以及部分第一隔离层上形成第二隔离层;在第二隔离层上形成第二掩膜层;去除部分第二掩膜层和部分第二隔离层,保留下的第二隔离层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐;去除第一掩膜层和剩余的第二掩膜层;在第一隔离层和保留下的第二隔离层上形成第三掩膜层;去除部分第三掩膜层;以保留下的第三掩膜层为掩膜,刻蚀保留下的部分第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112786536 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202110128863.7 (56)对比文件
(22)申请日 2021.01.29
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